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LOCATION:Université de Montréal - Pavillon J.-Armand-Bombardier\, 5155\, 
 chemin de la rampe \, Montréal\, QC\, Canada\, H3T 2B2
SUMMARY:Étude des défauts dans le silicium par la technique d’activatio
 n et de relaxation cinétique - Mickael Trochet (UdeM)
DESCRIPTION:Étude des défauts dans le silicium par la technique d’activ
 ation et de relaxation cinétique. Mickael Trochet\, département de physi
 que\, UdeMcandidat au PhD (groupe de Normand Mousseau)\nrésumé: \nLes
  performances des cellules photovoltaïques\, des transistors et des batte
 ries sont fortement affectées par l’agrégation des défauts intrinsèq
 ues et des impuretés dans le silicium ou ces alliages. Nous étudions la 
 stabilité thermodynamique\, la stabilité cinétique et la diffusion de c
 es défauts avec la technique d’activation et de relaxation cinétique (
 kART ou ARTc) couplée aux potentiels de Stillinger-Weber et ReaxFF. ARTc 
 est une méthode de Monte-Carlo cinétique pouvant traiter les systèmes h
 ors-réseau en construisant à la volée un catalogue des transitions acce
 ssibles. Cet algorithme explore le paysage énergétique de manière appro
 fondie et permet de caractériser la stabilité aussi bien thermodynamique
  que cinétique des systèmes ainsi que les mécanismes de diffusion des d
 éfauts ponctuels seuls ou en amas. Lors de cette présentation\, nous dé
 crirons la méthode ARTc ainsi que ses avantages et ses limites\, puis nou
 s passerons en revue les résultats\, ciblant plus particulièrement les d
 éfauts intrinsèques et les impuretés de lithium dans le silicium. Nous 
 montrerons que les environnements et la cinétique de diffusion des amas d
 e défauts sont très riches et complexes\, malgré la simplicité apparen
 te des systèmes étudiés. \n \nCette conférence est présentée par
  le RQMP Versant Nord du Département de physique de l'Université de 
 Montréal et de Génie physique de la Polytechnique.\n 
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