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LOCATION:Université de Montréal - Pavillon J.-Armand-Bombardier\, 5155\, 
 chemin de la rampe \, Montréal\, QC\, Canada\, H3T 2B2
SUMMARY:La quête de couches minces de nouveaux multiferroïques à tempér
 ature ambiante - Alain Pignolet (INRS)
DESCRIPTION:La quête de couches minces de nouveaux multiferroïques à tem
 pérature ambianteAlain PignoletCentre Énergie Matériaux Télécommunica
 tionsInstitut national de la recherche scientifique (INRS)\nRésumé: Les
  multiferroïques sont une classe spéciale de matériaux intelligents qui
  possèdent à la fois des propriétés ferroélectriques et magnétiques 
 et qui suscitent un vif intérêt pour diverses applications potentielles\
 , allant des dispositifs spintroniques aux nouveaux dispositifs photovolta
 ïques\, en passant par des capteurs magnétiques hautement sensibles opé
 rant à température ambiante et par des mémoires non-volatiles d’un ge
 nre nouveau. Cependant\, l'obtention de matériaux aux propriétés ferro
 électriques et magnétiques suffisantes et robustes à une température 
 égale ou supérieure à la température ambiante pour une intégration da
 ns de nouveaux dispositifs reste difficile à atteindre\, notamment sous l
 a forme de films minces de haute qualité\, nécessaires aux dispositifs i
 ntégrés.\nEn conséquence\, plusieurs stratégies ont été poursuivies
  dans la quête de films minces de nouveaux matériaux multiferroïques pr
 ésentant de bonnes propriétés multiferroïques à température ambiante
 . Une de ces stratégies consiste à faire croître des films d’un maté
 riau connu pour être multiferroïque\, mais avec des propriétés pas tou
 t à fait appropriées pour des applications dans des dispositifs réels\,
  et à le modifier (par exemple augmenter sa température de Curie ou amé
 liorer ses propriétés ferroélectriques ou magnétiques). Une autre stra
 tégie consiste à concevoir un matériau composite dont l’un des compos
 ants est ferroélectrique et un autre magnétique à la température de fo
 nctionnement. Une autre approche encore consiste à utiliser ou à créer 
 une distorsion structurelle polaire dans un matériau magnétique afin d
 ’induire la pyroélectricité et éventuellement la ferroélectricité.
 \nUn exemple de la première stratégie est la synthèse et la caractéris
 ation de couches minces épitaxiales et de nanostructures de Bi2FeCrO6 (BF
 CO) ferroélectrique et ferrimagnétique à température ambiante synthét
 isées par ablation laser pulsé\, ainsi que notre compréhension actuelle
  de leurs propriétés. La deuxième stratégie sera représentée par des
  couches minces synthétisées par PLD de deux systèmes de matériaux pr
 ésentant une formation in-situ spontanée d'un nanocomposite multiférro
 ïque\, à savoir: (i) des couches épitaxiées nanocomposites (i) de magh
 emite (epsilon-Fe2O3)/BiFeO3 et (ii) de Ba2LnFeNb4O15 (TTB-Ln) / BaFe12O19
  / LnNbO4\, avec Ln = Eu ou Sm. La troisième approche sera illustrée par
  la synthèse par PLD de couches minces épitaxiées de la phase métastab
 le epsilon de la ferrite (epsilon-Fe2O3) et de ε-AlxFe2-xO3 stabilisées 
 au moyen de contraintes épitaxiées. Epsilon-Fe2O3 présente\, outre ses 
 propriétés multiferroïques potentielles\, une grande anisotropie magné
 tique à la température ambiante et une fréquence de résonance ferromag
 nétique (FMR) à la température ambiante dans la plage des bas THz en l'
 absence de tout champ magnétique\, ce qui présente un intérêt pour les
  communications sans fil à courte distance et des mémoires magnétiques 
 non-volatiles pour ordinateurs ultra-rapides.\nAbstract: The Quest for ne
 w Room Temperature Multiferroic Thin Films\nMultiferroic are a special cl
 ass of smart materials that exhibit both ferroelectric and magnetic proper
 ties and have generated great interest for a variety of applications\, ran
 ging from spintronic devices to novel photovoltaic devices\, and from cryo
 genic-free highly-sensitive magnetic sensors to innovative non-volatile me
 mories. However\, obtaining materials with ferroelectric and magnetics pro
 perties that are sufficiently strong and robust at or above room temperatu
 re for potential integration into novel devices remain elusive\, in partic
 ular under the form of high quality thin films\, which is required for int
 egrated devices.\nAs a result\, several strategies have been pursued in t
 he quest of thin films of novel multiferroic materials with good multiferr
 oic properties at room temperature. One such strategy is to grow films of 
 a material known to be multiferroic\, but with properties not quite suitab
 le for applications in real devices\, and to modify it (e.g. in order to i
 ncrease its Curie temperature or to improve its ferroelectric or magnetic 
 properties). Another strategy is to engineer a composite material with one
  component being ferroelectric and a second component being magnetic at th
 e temperature of operation. Yet another approach is use or create a polar 
 structural distortion in a magnetic material to induce pyroelectricity and
  possibly ferroelectricity.\nAn example of the first strategy is the grow
 th and characterization of epitaxial thin films and nanostructures of the 
 room temperature ferroelectric and ferrimagnetic Bi2FeCrO6 (BFCO) synthesi
 zed by pulsed laser deposition (PLD)\, as well as our current understandin
 g of their properties. The second scheme will be exemplified by presenting
  thin film synthesized by PLD of two material systems exhibiting spontaneo
 us in-situ formation of a multiferoic nanocomposite\, namely nanocomposite
  epitaxial films of (i) maghemite (epsilon-Fe2O3)/BiFeO3 and (ii) tetragon
 al tungsten bronze Ba2LnFeNb4O15 (TTB-Ln) / BaFe12O19 / LnNbO4\, with Ln =
  Eu and Sm. The third approach will be illustrated by PLD-grown epitaxial 
 thin films of metastable epsilon ferrite (epsilon-Fe2O3) and ε-AlxFe2-xO3
  stabilized by epitaxial strain. In addition to its potential multiferroic
  properties\, epsilon-Fe2O3 also exhibits a large magnetic anisotropy at r
 oom temperature and a ferromagnetic resonance (FMR) frequency at room temp
 erature in the low THz range in the absence of any magnetic field\, which 
 is of interest for short-range wireless communications and ultrafast compu
 ter non-volatile magnetic memories.\nBio: Doctorat\, physique\, Laboratoi
 re de Physique des Matériaux Électroniques (EPFL)\, Suisse Diplôme d’
 ingénieur-physicien EPF Études de physique\, École Polytechnique Fédé
 rale de Lausanne (EPFL)\, Suisse Professeur à l'INRS ÉMT depuis 2002\nP
 age web d'Alain Pignolet.\nCette conférence est présentée par le RQMP
  Versant Nord du Département de physique de l'Université de Montréal
  et de Génie physique de la Polytechnique.
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