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URL:https://murmitoyen.com/events/vanille/udem/detail/791399-soutenance-de-
 these-de-doctorat-de-mickael-trochet
LOCATION:Université de Montréal - Pavillon Claire-McNicoll\, 2900\, chemi
 n de la Tour\, Montréal\, QC\, Canada\, H3T 1J6
SUMMARY:Soutenance de thèse de doctorat de Mickaël Trochet
DESCRIPTION:Étude de la formation d’agrégats de défauts ponctuels et d
 ’impuretés de lithium dans le silicium cristallin par méthode Monte Ca
 rlo cinétique
\nLes performances des cellules photovoltaïques\, des tran
 sistors et des batteries sont entre autres fortement affectées par la pr
 ésence et l’agrégation des défauts intrinsèques et des impuretés da
 ns le silicium ou ses alliages.
\nL’étude de la stabilité thermodynami
 que\, de la stabilité cinétique et de la diffusion de ces défauts perme
 t de mieux comprendre certains phénomènes tels que le bruit télégraphi
 que observé dans les semi-conducteurs fortement endommagés et l’amorph
 isation rapide de l’anode de c-Si lors de la première lithiation d’un
 e batterie.
\nLa technique d’activation et de relaxation cinétique (kAR
 T ou ARTc) est utilisée pour l’étude de matériaux variés et est coup
 lée aux potentiels de Stillinger-Weber et ReaxFF. ARTc est une méthode d
 e Monte-Carlo cinétique pouvant traiter les systèmes hors-réseau en con
 struisant à la volée un catalogue des transitions accessibles tout en ca
 pturant les effets élastiques à longue portée. Cet algorithme explore l
 e paysage énergétique de manière approfondie et permet de caractériser
  la stabilité aussi bien thermodynamique que cinétique des différentes 
 configurations.
\nAinsi à l’aide de ARTc\, nous sommes capables d’ide
 ntifier les différents mécanismes de diffusion des défauts ponctuels et
  des impuretés de lithium isolés ou agrégés dans le silicium cristalli
 n. En effet\, un des exemples qui sera introduit est le complexe formé d
 ’un amas deux interstitiels qui présente un comportement super-diffusif
  pseudo-1D dans les directions <110> du cristal de silicium.
\nNous décri
 rons\, dans cette présentation\, la méthode ARTc ainsi que ses avantages
  et ses limites\, puis nous passerons en revue les résultats\, en ciblant
  plus particulièrement les défauts intrinsèques et les impuretés de li
 thium dans le silicium. Nous montrerons que la cinétique de diffusion des
  amas de défauts est très riche et complexe\, malgré la simplicité app
 arente des systèmes étudiés.
\nMots clés : Silicium\, Défauts ponctue
 ls\, Impuretés de lithium\, Mécanismes de diffusion\, Monte-Carlo cinét
 ique.
\n 
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