BEGIN:VCALENDAR
VERSION:2.0
PRODID:https://murmitoyen.com/events/vanille/udem/
X-WR-TIMEZONE:America/Montreal
BEGIN:VEVENT
UID:69dcbb3b810b0
DTSTAMP:20260413T054531
DTSTART:20160510T100000
SEQUENCE:0
TRANSP:OPAQUE
DTEND:20160510T100000
URL:https://murmitoyen.com/events/vanille/udem/detail/693698
LOCATION:Université de Montréal - Pavillon Claire-McNicoll\, 2900\, chemi
 n de la Tour\, Montréal\, QC\, Canada\, H3T 1J6
SUMMARY:Soutenance de doctorat de Guillaume Gélinas
DESCRIPTION:Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de pui
 ts quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb
\n 
\nLes a
 ntimoniures sont des matériaux émergeants dans la fabrication de disposi
 tifs optoélectroniques émettant et détectant dans l’infrarouge. Cepen
 dant\, leurs énergies de bande interdite et leurs alignements de bandes n
 e sont pas bien compris et peu d’études existent quant à la fabricatio
 n de ces alliages. De plus\, lorsque ces matériaux sont confinés sous fo
 rme de puits quantiques\, les porteurs de charges voient leur localisation
  être modifiée en fonction de la composition d’indium et d’arsenic d
 ans l’alliage. Ce changement de localisation marque la transition de typ
 e I à type II et permet de mieux comprendre l’alignement des bandes. Af
 in d’optimiser l’utilisation des antimoniures comme dispositifs optoé
 lectroniques\, il est nécessaire de pouvoir prédire l’énergie des tra
 nsitions énergétiques\, l’alignement des bandes énergétiques pour fo
 rmer une hétérostructure et maîtriser la fabrication de ce matériau.
\
 n 
\n Cette thèse abordera tous ces défis en développant un modèle q
 ui prédit les énergies de transitions de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)
 As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb pour différentes concentrations d’ind
 ium et d’arsenic. De plus\, l’alignement des bandes d’énergie de ce
 t alliage sera présenté pour l’ensemble des compositions et permettra 
 d’identifier celles où la transition type I vers type II se produit. En
 suite\, les mesures expérimentales de diffraction des rayons X\,  de mic
 roscopie et de spectroscopie faites sur des échantillons fabriqués par 
 épitaxie seront présentées. Enfin\, deux modèles simples d’incorpora
 tion d’arsenic et de ségrégation d’indium seront montrés pour expli
 quer les résultats expérimentaux.
END:VEVENT
BEGIN:VTIMEZONE
TZID:America/Montreal
X-LIC-LOCATION:America/Montreal
END:VTIMEZONE
END:VCALENDAR