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URL:https://murmitoyen.com/events/vanille/udem/detail/166150
LOCATION:Université de Montréal - Pavillon J.-Armand-Bombardier\, 5155\, 
 chemin de la rampe \, Montréal\, QC\, Canada\, H3T 2B2
SUMMARY:Origine de la relaxation logarithmique des défauts dans le Si post
 -implantation
DESCRIPTION:Laurent Karim Béland\, Département de physique\, Université 
 de Montréal L'évolution des structures à l'échelle atomique au sein d
 e matériaux soumis à des perturbations détermine en grande partie le
 urs propriétés mécaniques à long terme et leur utilisation commerciale
  potentielle. La nature intrinsèquement microscopique de ces processus e
 t les longues échelles de temps sur lesquels ils se déroulent posent un
  grand défi. Nous abordons ici la question du c-Si post-implantation à
  quelques keV. Il s'agit d'un système où plusieurs atomes sont dans de
 s positions hors réseau. Les méthodes de simulation traditionnelles ne 
 peuvent traiter ce type de configuration sur des échelles de temps compar
 ables aux expériences.C’est dans ce contexte que nous avons développé
  la technique d’activation relaxation cinétique (ART-cinétique)\, une 
 méthode de simulation atomistique autodidacte capable de gérer les dép
 lacements hors-réseau. Nous comparons le résultats de ces simulations 
 à des mesures de nanocalorimétrie sur des échantillons implantés entre
  10-100 keV. Le recuit du matériau s'explique par une hausse logarithmi
 que des barrières à franchir pour accéder aux transitions émettant de
  grandes quantités de chaleur.  Site web du groupe du Laurent Karim B
 élandCette conférence est présentée par le RQMP Versant Nord du Dépa
 rtement de physique de l'Université de Montréal et le Département de g
 énie physique de Polytechnique Montréal.
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